Centro di ricerca sulla tecnologia di illuminazione intelligente per sviluppare una nuova tecnologia di illuminazione a LED

Rensselaer Polytechnic Institute (RensselaerPolytechnicInstitute), centro di ricerca sulla tecnologia di ingegneria dell'illuminazione intelligente, aveva annunciato in precedenza di aver ottenuto lo stesso nitruro di gallio (GaN) sull'integrazione dei transistor a LED e di potenza. I ricercatori hanno affermato che la nuova generazione di innovazioni tecnologiche a LED busserà alla porta, perché è più economico da produrre, più efficiente e le nuove funzionalità e applicazioni ben oltre la categoria di illuminazione.

Il cuore dell'attuale sistema di illuminazione a LED è costituito da chip LED al nitruro di gallio, ma molti componenti esterni come induttori, condensatori, interconnessioni e cavi in ​​silicio devono essere installati o integrati nel chip. L'integrazione di questi elementi essenziali di wafer di grandi dimensioni aumenterà ancora la complessità del design del prodotto di illuminazione. Inoltre, questo complesso processo di assemblaggio del sistema di illuminazione a LED è piuttosto lento, richiede non solo un sacco di operazioni manuali e il prezzo è costoso.

Il Politecnico di Rensselaer Institute Electronic Computer and Systems Engineering Professor T.PaulChow ha condotto uno studio sta cercando di avere pieno utilizzo attraverso lo sviluppo di una produzione di componenti GaN wafer per affrontare queste sfide. Questo chip LED autonomo completamente integrato semplifica la produzione, l'assemblaggio e riduce i passaggi necessari per automatizzare. Inoltre, l'uso di un singolo chip, in modo che le parti possano anche ridurre il tasso di guasto e migliorare l'efficienza energetica e l'economicità e la flessibilità nella progettazione dell'illuminazione.

Chow e team di ricerca sono direttamente nei transistor di mobilità ad alto elettrone GaN (HEMT) nella parte superiore della crescita della struttura a LED di GaN. Usano diversi tipi di tecniche di base per interconnettere le due regioni, creando ciò che chiamano il primo integrato sullo stesso chip GaN HEMT e componenti indipendenti LED. I componenti contrassegnati in substrati di pietra blu cresciuti, che mostrano l'emissione luminosa e la densità ottica e i componenti standard del LED GaN possono essere confrontati. Chow ha detto che lo studio per lo sviluppo di nuove emissioni verso il circuito di integrazione (lightemittingintegratedcircuit, LEIC) Optoelettronica è molto importante.